È stato pubblicato su Nature Physics lo studio “Driving Floquet physics with excitonic fields”, che riporta un risultato di grande rilievo per il gruppo di ricerca del Dipartimento di Fisica: la conferma sperimentale di una previsione teorica formulata nel 2019
Il lavoro dimostra che gli eccitoni – coppie elettrone-lacuna legate presenti nei semiconduttori – possono essere utilizzati per attivare stati di Floquet in un semiconduttore bidimensionale. Si tratta di una scoperta notevole, perché gli effetti osservati risultano: circa 100 volte più intensi, e più duraturi rispetto a quanto ottenibile con l’ingegneria di Floquet convenzionale basata su intensi campi luminosi.
La firma ARPES distintiva di queste fasi, e la loro affascinante connessione con il crossover BEC–BCS, era stata investigata in precedenti lavori teorici da Gianluca Stefanucci, Enrico Perfetto, Davide Sangalli e Andrea Marini [Phys. Rev. Materials 3, 124601 (2019)], ma era rimasta sfuggente fino ad ora. Questo studio, ideato e progettato da Keshav Dani e Felipe da Jornada, presenta una notevole realizzazione sperimentale corroborata da simulazioni ab initio allo stato dell’arte — un esempio brillante di come la teoria avanzata possa incontrare la sperimentazione d’avanguardia.